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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
AO6801
AO6801
TSOP-6
Dual
P
No
-26.5
12
130
190
6
2.5
1.9
1.15
0.7
AO6800
AO6800
TSOP-6
Dual
N
No
30
12
63
110
6
3.5
2.8
1.15
0.7
AO6802
AO6802
TSOP-6
Dual
N
No
30
20
58
82
4.4
3.7
2.9
1.15
0.7
AO6604
AO6604
TSOP-6
Complementary
P
No
-20
12
112
172
210
10
2.6
2
1.15
0.7
AO6604
AO6604
TSOP-6
Complementary
N
No
20
12
58
82
160
6.9
3.6
2.8
1.15
0.7
AO6602
AO6602
TSOP-6
Complementary
P
No
-30
20
112
172
7.4
3.5
2.8
1.15
0.7
AO6602
AO6602
TSOP-6
Complementary
N
No
30
20
63
90
5.8
4.7
3.7
1.15
0.7
AO6601
AO6601
TSOP-6
Complementary
P
No
-30
20
112
172
7.4
3.5
2.8
1.15
0.7
AO6601
AO6601
TSOP-6
Complementary
N
No
30
20
63
90
5.8
4.7
3.7
1.15
0.7
AO6415
AO6415
TSOP-6
Single
P
No
-20
12
90
130
150
8
2.9
2.4
2
1.3
AO6414
AO6414
TSOP-6
Single
N
No
60
20
92
107
4
3.4
2.7
2
1.3
AO6409
AO6409
TSOP-6
Single
P
No
-20
8
42
57
80
10
5.7
4.6
2
1.3
共928条 共78页 每页12条
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