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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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MegaPower Semiconductor 致力於為客戶提供完整有效、最具性價比的解決方案。
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
Added
Image
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
AO4410
AO4410
SOP8
Single
N
NO
30
20
5.5
8
18
2
JMTK050P03A
JMTK050P03A
TO252
Single
P
NO
-30
20
5.5
8
80
60
VSP008C03MD
VSP008C03MD
PDFN5*6
Complementary
N+P
NO
30/-30
20
LN85N12E2
LN85N12E2
TO252
Single
N
NO
100
20
9
15
80
50
60
DMTH8012LK3Q
DMTH8012LK3Q
TO252
Single
N
NO
80
20
17
25
55
30
70
SI2318DS
SI2318DS
SOT23
Single
N
NO
40
20
28
3
0.5
PW3401
PW3401
SOT23-3
Single
P
NO
-30
20
55
68
4.2
0.9
ASDM40P55KQ
ASDM40P55KQ
TO252
Single
P
NO
-40
20
10
17
55
120
FKBB6054
FKBB6054
PDFN3*3
Single
N
NO
60
20
12
18
50
26
35
HM20P85D5
HM20P85D5
PDFN5*6
Single
P
NO
-20
12
3
5
85
33
HM20P45D5
HM20P45D5
PDFN5*6
Single
P
NO
-20
12
7
12
45
25
102
HM20P60D5
HM20P60D5
PDFN5*6
Single
P
NO
-20
12
5.2
60
38
80
共941条 共79页 每页12条
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