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中低压场效应管
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
Diode
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(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
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10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI7321P
MI7321P
DFN3X3EP
Single
P
No
-20
8
14
19
25
13
11
3.5
2
MI7320N
MI7320N
DFN3X3EP
Single
N
No
20
8
4.7
7
70
23
19
3.5
2
MI7314N
MI7314N
DFN3X3EP
Single
N
No
100
20
48
58
54
7
5.3
3.5
2
MI7312N
MI7312N
DFN3X3EP
Single
N
No
30
20
4.4
6.6
32
23
17
3.5
2
MI7310N
MI7310N
DFN3X3EP
Single
N
No
30
20
5.5
7.8
19
21
17.2
3.5
2
MI7308NA
MI7308NA
DFN3X3EP
Single
N
No
30
20
9
15
10
17
14
3.5
2
MI7306NA
MI7306NA
DFN3X3EP
Single
N
No
30
12
5
6.9
53
22
16.4
3.5
2
MI7304N
MI7304N
DFN3X3EP
Single
N
No
30
20
10
13
12
16
12
3.5
2
MI7302N
MI7302N
DFN3X3EP
Single
N
No
30
20
4
6
32
24.2
18.3
3.5
2
MI7300N
MI7300N
DFN3X3EP
Single
N
No
300
20
600
900
14.4
2.4
1.9
5
3.2
MI7153P
MI7153P
DFN3X3EP
Single
P
No
-150
20
1200
1300
4.6
1.4
1.1
3.5
2
MI7152N
MI7152N
DFN3X3EP
Single
N
No
150
20
156
176
13
3.9
3
3.5
2
共928条 共78页 每页12条
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