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MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
Diode
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(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
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10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
FDN371AN
FDN371AN
SOT-23
Single
N
No
20
8
47
55
87
6
4.3
3.6
1.3
0.9
FDN361AN
FDN361AN
SOT-23
Single
N
No
30
20
85
125
3.5
2.5
2
1.25
0.8
FDN360P
FDN360P
SOT-23
Single
P
No
-30
20
57
89
7
3.9
3.1
1.3
0.8
FDN358P
FDN358P
SOT-23
Single
P
No
-20
8
60
96
10
4.2
3.3
1.3
0.8
FDN359BN
FDN359BN
SOT-23
Single
N
No
30
20
58
82
2.2
3.5
2.8
1.3
0.8
FDN357N
FDN357N
SOT-23
Single
N
No
30
20
58
82
2.2
3.5
2.8
1.3
0.8
FDN352AP
FDN352AP
SOT-23
Single
P
No
-30
20
200
300
3.4
2.1
1.7
1.25
0.8
FDN342P
FDN342P
SOT-23
Single
P
No
-20
8
60
96
10
4.2
3.3
1.3
0.8
FDN340P
FDN340P
SOT-23
Single
P
No
-20
8
60
96
10
4.2
3.3
1.3
0.8
FDN339AN
FDN339AN
SOT-23
Single
N
No
20
8
35
50
7
4.3
3.3
1.25
0.8
FDN338P
FDN338P
SOT-23
Single
P
No
-20
8
130
190
10
2.6
2.1
1.3
0.8
FDN337N
FDN337N
SOT-23
Single
N
No
30
8
65
82
7
2.2
1.7
0.5
0.42
共928条 共78页 每页12条
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