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MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
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10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI2360N
MI2360N
SOT-23
Single
N
No
55
12
160
200
3.6
2.4
2
1.3
0.8
MI2359PE
MI2359PE
SOT-23
Single
P
Yes
-60
20
700
800
1.1
1.2
0.9
1.3
0.8
MI2359P
MI2359P
SOT-23
Single
P
No
-60
20
381
561
5
1.6
1.2
1.3
0.8
MI2358NE
MI2358NE
SOT-23
Single
N
Yes
60
20
92
107
3.6
2.8
1.8
1.3
0.8
MI2358N
MI2358N
SOT-23
Single
N
No
60
20
92
107
4
3.1
2.5
1.3
0.8
MI2356NE
MI2356NE
SOT-23
Single
N
Yes
30
8
32
64
15
5.3
4.1
1.3
0.8
MI2354N
MI2354N
SOT-23
Single
N
No
400
20
3500
3700
4
0.5
0.4
1.3
0.8
MI2352N
MI2352N
SOT-23
Single
N
No
300
20
2000
2300
4
0.66
0.52
1.3
0.8
MI2351P
MI2351P
SOT-23
Single
P
No
-200
20
2500
2800
3.7
0.6
0.5
1.3
0.8
MI2350N
MI2350N
SOT-23
Single
N
No
200
20
1500
5.3
0.77
0.6
1.3
0.8
MI2348N
MI2348N
SOT-23
Single
N
No
250
20
950
1050
5
1
0.8
1.3
0.8
MI2347P
MI2347P
SOT-23
Single
P
No
-40
20
39
55
15
4.8
3.7
1.3
0.8
共928条 共78页 每页12条
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