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MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
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10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI4392N
MI4392N
SO-8
Single
N
No
150
20
255
290
12
2.9
2.4
3.1
2.2
MI4390N
MI4390N
SO-8
Single
N
No
150
20
625
900
7
5.2
3.1
MI4380N
MI4380N
SO-8
Single
N
No
200
20
250
290
13
2.9
2.5
3.1
2.2
MI4362N
MI4362N
SO-8
Single
N
No
30
20
6
8
21
19
16
3.1
2.2
MI4360N
MI4360N
SO-8
Single
N
No
60
20
14
18
19
12
10
3.1
2.2
MI4356N
MI4356N
SO-8
Single
N
No
150
20
65
80
16
5.7
4.8
3.1
2.2
MI4354N
MI4354N
SO-8
Single
N
No
150
20
83
105
11
5
4.3
3.1
2.2
MI4352N
MI4352N
SO-8
Single
N
No
150
20
125
140
7
4.1
3.5
3.1
2.2
MI4350N
MI4350N
SO-8
Single
N
No
150
20
245
275
4.6
3
2.5
3.1
2.2
MI4304N
MI4304N
SO-8
Single
N
No
250
20
1600
1800
3
1.2
1
3.1
2.2
MI4302N
MI4302N
SO-8
Single
N
No
30
12
26
50
5.5
9
7.3
3.1
2.2
MI4300N
MI4300N
SO-8
Single
N
No
150
20
65
75
22
5.7
4.8
3.1
2.2
共928条 共78页 每页12条
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