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MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
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10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI4407PE
MI4407PE
SO-8
Single
P
Yes
-30
20
9
13
118
16
13
3.1
2.2
MI4407P
MI4407P
SO-8
Single
P
No
-30
20
9
13
56
15
12
3.1
2
MI4405P
MI4405P
SO-8
Single
P
No
-150
20
260
280
21
2.9
2.4
3.1
2.2
MI4404N
MI4404N
SO-8
Single
N
No
30
20
8.5
16
10
16
13.2
3.1
2.2
MI4403P
MI4403P
SO-8
Single
P
No
-150
20
560
580
10
2
1.7
3.1
2.2
MI4402N
MI4402N
SO-8
Single
N
No
60
20
38
50
16
7.4
6.3
3.1
2.2
MI4401P
MI4401P
SO-8
Single
P
No
-150
20
160
170
64
3.6
3.1
3.1
2.2
MI4400NE
MI4400NE
SO-8
Single
N
Yes
60
20
86
115
3.6
4.6
4
3.1
2
MI4400N
MI4400N
SO-8
Single
N
No
60
20
82
115
3.7
5.1
4.3
3.1
2.2
MI4398N
MI4398N
SO-8
Single
N
No
150
20
89
99
10
4.9
4.1
3.1
2.2
MI4396N
MI4396N
SO-8
Single
N
No
150
20
110
115
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4.4
3.7
3.1
2.2
MI4394N
MI4394N
SO-8
Single
N
No
150
20
50
60
58
6.5
5.5
3.1
2.2
共928条 共78页 每页12条
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