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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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VGS
(±V)
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Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
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10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI3850C
MI3850C
TSOP-6
Complementary
P
No
-25
8
1090
1500
1.1
0.9
0.65
1.15
0.8
MI3850C
MI3850C
TSOP-6
Complementary
N
No
25
8
450
720
1.64
1.2
0.95
1.25
0.8
MI3599CE
MI3599CE
TSOP-6
Complementary
P
YES
-30
20
190
290
2.2
2.1
1.6
1.15
0.7
MI3599CE
MI3599CE
TSOP-6
Complementary
N
YES
30
20
90
130
1.4
3
2.3
1.15
0.7
MI3599C
MI3599C
TSOP-6
Complementary
P
No
-30
20
112
172
7.4
3.5
2.8
1.15
0.7
MI3599C
MI3599C
TSOP-6
Complementary
N
No
30
20
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1.15
0.7
MI3560C
MI3560C
TSOP-6
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P
No
-60
20
310
405
4.9
1.6
1,3
1.15
0.7
MI3560C
MI3560C
TSOP-6
Complementary
N
No
60
20
153
185
4.9
2.3
1.9
1.15
0.7
MI3548C
MI3548C
TSOP-6
Complementary
P
No
-40
20
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240
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2.1
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0.7
MI3548C
MI3548C
TSOP-6
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N
No
40
20
63
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MI3531C
MI3531C
TSOP-6
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P
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12
112
172
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2.1
1.15
0.7
MI3531C
MI3531C
TSOP-6
Complementary
N
No
30
12
58
82
8.7
3.7
2.9
1.15
0.7
共928条 共78页 每页12条
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