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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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MegaPower Semiconductor 致力於為客戶提供完整有效、最具性價比的解決方案。
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MICC920NE
MICC920NE
DFN3X3
Dual
N
Yes
20
8
20
24
39
6
7.1
5.8
1.5
1
MICC530C
MICC530C
TSOP-6
Complementary
P
No
-30
20
72
105
4.4
4.9
3.5
2.5
1.3
MICC530C
MICC530C
TSOP-6
Complementary
N
No
30
20
50
83
4.4
5.8
4.2
2.5
1.3
MICC431P
MICC431P
DFN3X3
Single
P
No
-30
20
60
90
14
5.9
4.8
3.1
2
MI3998N
MI3998N
TSOP-6
Dual
N
No
20
12
58
82
7.5
3.7
2.9
1.15
0.7
MI3993P
MI3993P
TSOP-6
Dual
P
No
-30
20
130
190
6
2.5
1.9
1.15
0.7
MI3962NE
MI3962NE
TSOP-6
Dual
N
Yes
60
20
153
185
3
2.3
1.9
1.15
0.7
MI3962N
MI3962N
TSOP-6
Dual
N
No
60
20
153
185
3
2.3
1.9
1.15
0.7
MI3961P
MI3961P
TSOP-6
Dual
P
No
-60
20
310
465
5
1.6
1.3
1.15
0.7
MI3949P
MI3949P
TSOP-6
Dual
P
No
-40
20
185
240
6
2.5
1.9
1.15
0.7
MI3940NE
MI3940NE
TSOP-6
Dual
N
Yes
40
20
58
82
2.2
3.5
2.8
1.3
0.8
MI3940N
MI3940N
TSOP-6
Dual
N
No
40
20
58
82
2.2
3.5
2.8
1.3
0.8
共928条 共78页 每页12条
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