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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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MegaPower Semiconductor 致力於為客戶提供完整有效、最具性價比的解決方案。
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
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Image
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI7620N
MI7620N
DFN3X3EP
Dual
N
No
20
8
19
24
9
19
15
9.9
6.4
MI7390NS
MI7390NS
DFN3X3EP
Single
N
No
30
20
10
14
12
15.3
11.6
3.5
2
MI7382N
MI7382N
DFN3X3EP
Single
N
No
80
20
25
28
31
9.7
7.4
3.5
2
MI7381P
MI7381P
DFN3X3EP
Single
P
No
-80
20
129
149
13
4.3
3
3.5
2
MI7380N
MI7380N
DFN3X3EP
Single
N
No
80
20
35
40
17
9
7
3.5
2
MI7370NA
MI7370NA
DFN3X3EP
Single
N
No
120
20
42
48
28
7.5
3.5
MI7369P
MI7369P
DFN3X3EP
Single
P
No
-60
20
40
50
19
27
21
3.5
2
MI7368N
MI7368N
DFN3X3EP
Single
N
No
60
20
25
31
10
24
19
3.5
2
MI7367P
MI7367P
DFN3X3EP
Single
P
No
-60
20
82
100
10
5.4
4.1
3.5
2
MI7366N
MI7366N
DFN3X3EP
Single
N
No
60
20
50
60
3.8
6.9
5.5
3.6
2.3
MI7365P
MI7365P
DFN3X3EP
Single
P
No
-60
20
24
32
30
10
7.5
3.5
2
MI7364N
MI7364N
DFN3X3EP
Single
N
No
60
20
13
16
16
14
10
3.5
2
共928条 共78页 每页12条
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