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中低压场效应管
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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Type
ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
Added
Image
Pdf
Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
IRLML2803
IRLML2803
SOT-23
Single
N
No
30
20
85
125
3.5
2.5
2
1.25
0.8
IRLML2502
IRLML2502
SOT-23
Single
N
No
20
8
70
80
120
4.5
2.2
1.8
1.25
0.8
MIR930N
MIR930N
SOIC-8PP
Asymmetric N
N
No
30
20
3.5
5.8
35
20
16
2.5
1.6
2013/12/31
MIR930N
MIR930N
SOIC-8PP
Asymmetric N
N
No
30
20
9
12
33
14
11
2.5
1.6
2013/12/31
MIR860N
MIR860N
SOIC-8PP
Dual
N
No
60
20
9
12
33
20
16
5
3.2
2013/12/31
MI7968N
MI7968N
SOIC-8PP
Dual
N
No
60
20
75
90
4.3
9.3
9.6
2018/10/01
MI7966N
MI7966N
SOIC-8PP
Dual
N
No
60
20
37
45
8
19
9.6
2018/10/01
MI7964N
MI7964N
SOIC-8PP
Dual
N
No
60
20
14
18
19
45
35
2.8
1.8
2018/07/24
MI7962N
MI7962N
SOIC-8PP
Dual
N
No
60
20
23
28
16
8.6
6.9
2.5
1.6
2013/12/31
MI7961P
MI7961P
SOIC-8PP
Dual
P
No
-60
20
44
52
28
6.2
5
2.5
1.6
2013/12/31
MI7960N
MI7960N
SOIC-8PP
Dual
N
No
60
20
8.4
9.4
33
50
43
36
23
2013/12/31
MI7944N
MI7944N
SOIC-8PP
Dual
N
No
40
20
11
14
15
36
21
2019/03/27
共928条 共78页 每页12条
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