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MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
Diode
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(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
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10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI4842N
MI4842N
SO-8
Single
N
No
40
20
11
14
20
13.8
11.6
3.1
2.2
MI4841P
MI4841P
SO-8
Single
P
No
-40
20
35
45
23
7.7
6.5
3.1
2.2
MI4840N
MI4840N
SO-8
Single
N
No
40
20
22
27
10
9.7
8.2
3.1
2.2
MI4835EP
MI4835EP
SO-8
Single
P
Yes
-30
25
19
30
12.8
9.5
8.3
3.1
2.6
MI4835P
MI4835P
SO-8
Single
P
No
-30
20
19
30
31
9.5
8.3
3.1
2.2
MI4832N
MI4832N
SO-8
Single
N
No
30
20
3.2
4.2
59
26
22
3.1
2.2
MI4830NS
MI4830NS
SO-8
Single N+Schottky
N
No
30
20
13.5
18
12.5
13
11
3.1
2.2
MI4825PE
MI4825PE
SO-8
Single
P
Yes
-30
25
13
19
25
11.5
9.3
3.1
2.3
MI4825P
MI4825P
SO-8
Single
P
No
-30
20
13
19
42
11.5
9.3
3.1
2.2
MI4811P
MI4811P
SO-8
Single
P
No
-30
20
30
52
15
8.3
7
3.1
2.2
MI4499P
MI4499P
SO-8
Single
P
No
-60
20
45
60
24
6.8
5.8
3.1
2.2
MI4494N
MI4494N
SO-8
Single
N
No
100
20
18
23
60
11
9
3.1
2.2
共928条 共78页 每页12条
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