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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
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Image
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Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI1541CE
MI1541CE
SC-70-6
Complementary
N
Yes
40
20
140
190
5
1.2
1
0.3
0.21
MI1537CE
MI1537CE
SC-70-6
Complementary
P
Yes
-30
20
190
290
2.3
1
0.86
0.3
0.21
MI1537CE
MI1537CE
SC-70-6
Complementary
N
Yes
30
20
90
130
0.9
1.5
1.25
0.3
0.21
MI1535CE
MI1535CE
SC-70-6
Complementary
P
Yes
-30
8
210
290
4
1
0.8
0.3
0.21
MI1535CE
MI1535CE
SC-70-6
Complementary
N
Yes
30
8
90
180
5
1.5
1.3
0.3
0.21
MI1523CE
MI1523CE
SC-70-6
Complementary
P
Yes
-20
8
200
370
4
1
0.9
0.3
0.21
MI1523CE
MI1523CE
SC-70-6
Complementary
N
Yes
20
8
95
128
5
1.5
1.3
0.3
0.21
MI1491P
MI1491P
SC-70-6
Single
P
No
-150
20
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3200
3.7
0.6
0.43
1.56
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MI1440N
MI1440N
SC-70-6
Single
N
No
40
20
86
128
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3.5
2.9
1.56
0.81
MI1434N
MI1434N
SC-70-6
Single
N
No
30
8
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43
6
5.5
4.5
1.56
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MI1433PE
MI1433PE
SC-70-6
Single
P
Yes
-30
20
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96
4
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3.3
1.56
0.81
MI1433P
MI1433P
SC-70-6
Single
P
No
-30
20
64
96
7.6
4.1
3
1.56
0.81
共928条 共78页 每页12条
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