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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
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Image
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Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI2315P
MI2315P
SOT-23
Single
P
No
-30
25
85
130
7.6
3.2
2.6
1.3
0.8
MI2314NE
MI2314NE
SOT-23
Single
N
Yes
20
12
32
44
6.2
5.3
4.1
1.3
0.8
MI2314N
MI2314N
SOT-23
Single
N
No
20
12
32
44
13.4
4
3.1
1.3
0.8
MI2313P
MI2313P
SOT-23
Single
P
No
-60
20
10000
20000
1.8
0.12
0.09
0.36
0.29
MI2312N
MI2312N
SOT-23
Single
N
No
20
8
10
13
24
9.4
1.3
0.8
MI2311PE
MI2311PE
SOT-23
Single
P
Yes
-20
12
28
40
23
5.6
4.4
1.3
0.8
MI2310N
MI2310N
SOT-23
Single
N
No
30
8
65
82
7
2.2
1.7
0.5
0.42
MI2309P
MI2309P
SOT-23
Single
P
No
-20
8
26
35
10
5.7
4.7
1.25
0.8
MI2308NE
MI2308NE
SOT-23
Single
N
Yes
30
12
60
82
6
3.5
2.8
1.3
0.8
MI2308N
MI2308N
SOT-23
Single
N
No
30
12
60
82
6.1
3.8
3
1.3
0.8
MI2307PE
MI2307PE
SOT-23
Single
P
Yes
-20
10
31
44
56
18
5.2
4.3
1.3
0.8
MI2306NE
MI2306NE
SOT-23
Single
N
Yes
30
20
58
82
2.2
3.5
2.8
1.3
0.8
共928条 共78页 每页12条
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