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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
Added
Image
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI3405P
MI3405P
TSOP-6
Single
P
No
-20
12
56
80
150
8
4.9
4
2
1.3
MI3403P
MI3403P
TSOP-6
Single
P
No
-30
20
56
86
6.4
4
3.2
2
1.3
MI3402N
MI3402N
TSOP-6
Single
N
No
30
20
27
35
9
6.3
5.2
1.6
1
MI3400N
MI3400N
TSOP-6
Single
N
No
200
20
950
1100
3.8
1.2
0.96
2
1.3
BSS138N
BSS138N
SOT-23
Single
N
No
50
20
3500
6000
10000
4.6
0.5
0.4
1.3
0.8
MI2398NE
MI2398NE
SOT-23
Single
N
Yes
60
20
194
273
4.3
2.2
1.7
1.3
0.8
MI2398N
MI2398N
SOT-23
Single
N
No
60
20
194
273
4
2.2
1.7
1.3
0.8
MI2394NE
MI2394NE
SOT-23
Single
N
Yes
150
20
1200
1300
3
0.9
0.7
1.3
0.8
MI2392N
MI2392N
SOT-23
Single
N
No
150
20
1200
1400
3.8
0.9
0.7
1.3
0.8
MI2391P
MI2391P
SOT-23
Single
P
No
-150
20
1200
1300
3.4
0.9
0.8
1.3
0.8
MI2390N
MI2390N
SOT-23
Single
N
No
150
20
700
1200
3.5
1.1
0.9
1.3
0.8
MI2382N
MI2382N
SOT-23
Single
N
No
80
20
71
79
12
3.5
1.3
共928条 共78页 每页12条
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