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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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MegaPower Semiconductor 致力於為客戶提供完整有效、最具性價比的解決方案。
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
Added
Image
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI7151P
MI7151P
DFN3X3EP
Single
P
No
-150
20
500
530
9.8
2.2
1.6
3.5
2
MI7150N
MI7150N
DFN3X3EP
Single
N
No
150
20
255
290
10.8
3.6
2.9
5
3.2
MI7104N
MI7104N
DFN3X3EP
Single
N
No
100
20
140
150
8.8
4.1
3.1
3.5
2
MI7102NA
MI7102NA
DFN3X3EP
Single
N
No
100
20
26
36
30
9.5
7.2
3.5
2
MI7101P
MI7101P
DFN3X3EP
Single
P
No
-100
20
269
289
8
3
2.5
3.5
2
MI7100N
MI7100N
DFN3X3EP
Single
N
No
100
20
62
72
16
6.2
4.6
3.5
2
MI7001P
MI7001P
DFN3X3EP
Single
P
No
-200
20
900
1000
10.6
1.6
1.2
3.5
2
MI7000N
MI7000N
DFN3X3EP
Single
N
No
200
20
295
340
9.5
3
2.2
3.5
2
MICC926NE
MICC926NE
DFN3X3
Dual
N
Yes
20
12
10
14
15
13
10
2.5
1.5
MICC924NE
MICC924NE
DFN3X3
Dual
N
Yes
20
8
12
14
13.4
9.2
7.5
1.5
1
MICC922NE
MICC922NE
DFN3X3
Dual
N
Yes
20
8
21
24
11
8.2
6
1.5
0.8
MICC921PE
MICC921PE
DFN3X3
Dual
P
Yes
-20
8
28
45
78
17.8
6
4.9
1.5
1
共928条 共78页 每页12条
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