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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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MegaPower Semiconductor 致力於為客戶提供完整有效、最具性價比的解決方案。
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VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
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10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI7337P
MI7337P
DFN3X3EP
Single
P
No
-30
20
7
12
44
18
14
3.5
2
MI7336N
MI7336N
DFN3X3EP
Single
N
No
30
8
9
11
21
16.2
12.2
3.5
2
MI7335P
MI7335P
DFN3X3EP
Single
P
No
-30
20
8
11
60
18
13
3.5
2
MI7334N
MI7334N
DFN3X3EP
Single
N
No
30
20
8
11.5
15
17
13
3.5
2
MI7333PE
MI7333PE
DFN3X3EP
Single
P
Yes
-30
20
20
36
22
10.9
8.2
3.5
2
MI7333P
MI7333P
DFN3X3EP
Single
P
No
-30
20
20
36
32
10.9
8.2
3.5
2
MI7332N
MI7332N
DFN3X3EP
Single
N
No
30
20
13
18
11
14
11
3.5
2
MI7331PE
MI7331PE
DFN3X3EP
Single
P
Yes
-30
20
14.4
27
25
13.4
11
3.5
2
MI7331P
MI7331P
DFN3X3EP
Single
P
No
-30
20
13
19
34
13.4
10.2
3.5
2
MI7330N
MI7330N
DFN3X3EP
Single
N
No
30
20
20
32
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MI7325P
DFN3X3EP
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P
No
-20
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3.5
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MI7323P
MI7323P
DFN3X3EP
Single
P
No
-20
8
9
12
82
17
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3.5
2
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