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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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MegaPower Semiconductor 致力於為客戶提供完整有效、最具性價比的解決方案。
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
Added
Image
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MIS531C
MIS531C
DFN3X3EP
Complementary
P
No
-30
12
33
47
22
7.2
5.2
2.5
1.3
MIS531C
MIS531C
DFN3X3EP
Complementary
N
No
30
12
25
37
7
8.2
5.9
2.5
1.3
MIS530C
MIS530C
DFN3X3EP
Complementary
P
No
-30
20
72
105
8
4.9
4
2.5
1.3
MIS530C
MIS530C
DFN3X3EP
Complementary
N
No
30
20
50
83
4
5.8
4.8
3.5
2.2
MIS418N
MIS418N
DFN3X3EP
Single
N
No
30
20
1.8
2.6
43
70
83
MIS410N
MIS410N
DFN3X3EP
Single
N
No
100
20
44
86
11
7.3
5.6
3.5
2
MI7670N
MI7670N
DFN3X3EP
Dual
N
No
70
20
32
38
24
24
19
28
18
MI7641P
MI7641P
DFN3X3EP
Dual
P
No
-40
20
35
48
15
7
5
2.5
1.3
MI7640N
MI7640N
DFN3X3EP
Dual
N
No
40
20
35
46
7
7
5.7
2.5
1.3
MI7634N
MI7634N
DFN3X3EP
Dual
N
No
30
20
31
43
4.1
5.7
4.7
1.5
1
MI7630N
MI7630N
DFN3X3EP
Dual
N
No
30
20
19
28
5.2
9.4
6.8
2.5
1.3
MI7621P
MI7621P
DFN3X3EP
Dual
P
No
-20
8
28
40
25
7.8
5.6
2.5
1.3
共928条 共78页 每页12条
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