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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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MegaPower Semiconductor 致力於為客戶提供完整有效、最具性價比的解決方案。
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
Added
Image
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI4924N
MI4924N
SO-8
Dual
N
No
20
8
11
14
26
11
8.9
2.1
1.3
MI4922N
MI4922N
SO-8
Dual
N
No
20
8
22
28
5.5
7.8
6.4
2
1.3
MI4920N
MI4920N
SO-8
Dual
N
No
30
20
34
41
4
6.5
5.1
2.1
1.3
MI4919P
MI4919P
SO-8
Dual
P
No
-20
12
20
29
54
30
8.2
6.5
2.1
1.3
MI4917P
MI4917P
SO-8
Dual
P
No
-20
8
17.5
23
48
49
9
7.1
2.1
1.3
MI4915P
MI4915P
SO-8
Dual
P
No
-30
25
17.5
23
40
9
7.1
2.1
1.3
MI4910N
MI4910N
SO-8
Dual
N
No
30
20
13.5
20
20
10
8.2
2.1
1.3
MI4902N
MI4902N
SO-8
Dual
N
No
60
20
35
45
16
6.4
5
2.1
1.3
MI4892N
MI4892N
SO-8
Dual
N
No
150
20
255
290
14
2.3
1.8
2.1
1.3
MI4890N
MI4890N
SO-8
Dual
N
No
150
20
700
1200
3.7
1.4
1.1
2.1
1.3
MI4874N
MI4874N
SO-8
Single
N
No
30
20
11
12
15
16.8
14.2
3.1
2.2
MI4844NE
MI4844NE
SO-8
Single
N
Yes
40
20
32
44
12.5
8.1
6.6
3.1
2.2
共928条 共78页 每页12条
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