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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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MegaPower Semiconductor 致力於為客戶提供完整有效、最具性價比的解決方案。
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
Added
Image
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI4960N
MI4960N
SO-8
Dual
N
No
60
20
89
104
3.6
4
3.3
2.1
1.3
MI4953P
MI4953P
SO-8
Dual
P
No
-30
20
68
98
4.8
4.6
3.6
2.1
1.3
MI4942N
MI4942N
SO-8
Dual
N
No
40
20
75
95
2.4
4.4
3.4
2.1
1.3
MI4940N
MI4940N
SO-8
Dual
N
No
40
20
22
27
19
8.3
6.8
2.1
1.3
MI4938NE
MI4938NE
SO-8
Dual
N
Yes
30
20
34
42
6.2
6.5
5.1
2.1
1.3
MI4936N
MI4936N
SO-8
Dual
N
No
30
20
9
15
10
13
9.9
2.1
1.3
MI4935P
MI4935P
SO-8
Dual
P
No
-30
20
21
35
28
8.2
6.5
2.1
1.3
MI4934N
MI4934N
SO-8
Dual
N
No
30
20
18
26
5.3
8.7
7
2.1
1.3
MI4932N
MI4932N
SO-8
Dual
N
No
30
8
13.5
20
24
10
8.1
2.1
1.3
MI4930N
MI4930N
SO-8
Dual
N
No
30
12
58
82
6.3
5
4.1
2.1
1.3
MI4929P
MI4929P
SO-8
Dual
P
No
-20
12
52
89
124
16.7
5.2
4.1
2.1
1.3
MI4926N
MI4926N
SO-8
Dual
N
No
20
12
58
82
7.5
5
4.1
2.1
1.3
共928条 共78页 每页12条
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