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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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MegaPower Semiconductor 致力於為客戶提供完整有效、最具性價比的解決方案。
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
Added
Image
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI6612NE
MI6612NE
SO-8
Single
N
Yes
30
20
22
30
4
9.4
7.4
3.1
2
MI6612N
MI6612N
SO-8
Single
N
No
30
20
22
30
4
9.4
7.4
3.1
2
MI4998N
MI4998N
SO-8
Dual
N
No
30
12
32
40
6
6.5
5.3
2
1.3
MI4994N
MI4994N
SO-8
Dual
N
No
100
20
80
95
10
4.2
3.3
2.1
1.3
MI4992N
MI4992N
SO-8
Dual
N
No
100
20
430
480
4
1.8
1.4
2.1
1.3
MI4990NE
MI4990NE
SO-8
Dual
N
Yes
100
20
81
92
17
4.2
3.3
2.1
1.3
MI4990N
MI4990N
SO-8
Dual
N
No
100
20
81
92
17
4.2
3.3
2.1
1.3
MI4970N
MI4970N
SO-8
Dual
N
No
200
20
300
340
8.6
2.2
1.7
2.1
1.3
MI4966N
MI4966N
SO-8
Dual
N
No
60
20
28
34
9
7.1
5.6
2.1
1.3
MI4964NT
MI4964NT
SO-8
Dual
N
No
60
20
50
60
3.8
5.3
4.2
2.1
1.3
MI4963P
MI4963P
SO-8
Dual
P
No
-60
20
120
180
5
3.5
2.7
2.1
1.3
MI4962NE
MI4962NE
SO-8
Dual
N
Yes
60
20
35
45
12.5
6.4
5.2
2.1
1.3
共928条 共78页 每页12条
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