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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
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(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
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10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI4546C
MI4546C
SO-8
Complementary
P
No
-40
20
18
25
29
8.9
7
2.1
1.3
MI4546C
MI4546C
SO-8
Complementary
N
No
40
20
14
19
11
10
7.9
2.1
1.3
MI4545C
MI4545C
SO-8
Complementary
P
No
-40
20
38
48
18
6.1
4.8
2.1
1.3
MI4545C
MI4545C
SO-8
Complementary
N
No
40
20
25
30
10
7.5
5.9
2.1
1.3
MI4544C
MI4544C
SO-8
Complementary
P
No
-40
20
45
63
5
5.6
4.4
2.1
1.3
MI4544C
MI4544C
SO-8
Complementary
N
No
40
20
30
38
3.5
6.9
5.4
2.1
1.3
MI4543C
MI4543C
SO-8
Complementary
P
No
-40
20
30
40
23
6.9
5.4
2.1
1.3
MI4543C
MI4543C
SO-8
Complementary
N
No
40
20
42
60
3.6
5.8
4.5
2.1
1.3
MI4542C
MI4542C
SO-8
Complementary
P
No
-40
20
30
40
14
7.6
6.3
2.1
1.3
MI4542C
MI4542C
SO-8
Complementary
N
No
40
20
22
27
13
8.3
6.8
2.1
1.3
MI4541CE
MI4541CE
SO-8
Complementary
P
Yes
-40
20
98
135
6
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3
2.1
1.3
MI4541CE
MI4541CE
SO-8
Complementary
N
Yes
40
20
42
60
3.7
5.8
4.5
2.1
1.3
共928条 共78页 每页12条
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