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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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MegaPower Semiconductor 致力於為客戶提供完整有效、最具性價比的解決方案。
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI4616C
MI4616C
SO-8
Complementary
P
No
-30
20
22
40
14
8
2.1
MI4616C
MI4616C
SO-8
Complementary
N
No
30
20
20
28
5.9
8.4
2.1
MI4599C
MI4599C
SO-8
Complementary
P
No
-60
20
57
77
20
4.3
3.9
2.1
1.3
MI4599C
MI4599C
SO-8
Complementary
N
No
60
20
33
50
5
7.7
6.5
2.1
1.3
MI4562C
MI4562C
SO-8
Complementary
P
No
-60
20
40
50
18
5.9
4.7
2.1
1.3
MI4562C
MI4562C
SO-8
Complementary
N
No
60
20
27
33
8.9
7.2
5.7
2.1
1.3
MI4561C
MI4561C
SO-8
Complementary
P
No
-60
20
68
85
10
4.5
3.6
2.1
1.3
MI4561C
MI4561C
SO-8
Complementary
N
No
60
20
28
35
9
7.1
5.6
2.1
1.3
MI4560C
MI4560C
SO-8
Complementary
P
No
-60
20
190
250
5
2.8
2.2
2.1
1.3
MI4560C
MI4560C
SO-8
Complementary
N
No
60
20
82
100
5
4.2
3.3
2.1
1.3
MI4547C
MI4547C
SO-8
Complementary
P
No
-40
20
33
46
15
6.6
5.2
2.1
1.3
MI4547C
MI4547C
SO-8
Complementary
N
No
40
20
34
48
6
6.5
5.1
2.1
1.3
共928条 共78页 每页12条
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