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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
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VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
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Image
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Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI7474N
MI7474N
SOIC-8PP
Single
N
No
30
20
6
9
17
50
5
2018/10/01
MI7472N
MI7472N
SOIC-8PP
Single
N
No
70
20
6
7
61
24
19
5
3.2
2017/11/07
MI7470NA
MI7470NA
SOIC-8PP
Single
N
No
120
20
21
24
52
13
10
5
3.2
2013/12/31
MI7468N
MI7468N
SOIC-8PP
Single
N
No
60
20
17
21
21
15
11.3
5
3.2
2013/12/31
MI7466N
MI7466N
SOIC-8PP
Single
N
No
60
20
6
7
64
20
19
3.5
3.2
2013/12/31
MI7465P
MI7465P
SOIC-8PP
Single
P
No
-60
20
9.8
11.2
66
19
15
5
3.2
2017/11/07
MI7464N
MI7464N
SOIC-8PP
Single
N
No
60
20
82
115
15
6.4
5.3
5
3.2
2013/12/31
MI7463P
MI7463P
SOIC-8PP
Single
P
No
-60
20
12
16
90
17
13.4
5
3.2
2013/12/31
MI7462N
MI7462N
SOIC-8PP
Single
N
No
60
20
22
26
20
13
11
5
3.2
2013/12/31
MI7461P
MI7461P
SOIC-8PP
Single
P
No
-60
20
45
60
15.3
10
8
5
3.2
2013/12/31
MI7460N
MI7460N
SOIC-8PP
Single
N
No
60
20
26
36
9
12
9.1
5
3.2
2013/12/31
MI7458N
MI7458N
SOIC-8PP
Single
N
No
150
20
24
28
55
59
5
2018/10/01
共928条 共78页 每页12条
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