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Medium low pressure Field effect transistor
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
Added
Image
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI7942N
MI7942N
SOIC-8PP
Dual
N
No
40
20
6
8
32
17
14
2.5
1.6
2017/11/07
MI7940N
MI7940N
SOIC-8PP
Dual
N
No
40
20
19
22
10
24
20
16
10
2013/12/31
MI7933P
MI7933P
SOIC-8PP
Dual
P
No
-30
20
8
12
56
55
44
36
23
2014/05/01
MI7931P
MI7931P
SOIC-8PP
Dual
P
No
-30
20
13
18
25
29
24
16
10
2013/12/31
MI7930N
MI7930N
SOIC-8PP
Dual
N
No
30
20
8
12
21
15
12
2.5
1.6
2013/12/31
MI7924N
MI7924N
SOIC-8PP
Dual
N
No
20
12
7
9
73
13
13
2.5
1.6
2014/05/01
MI7922N
MI7922N
SOIC-8PP
Dual
N
No
20
8
7
8.5
74
16
12
2.5
1.6
2014/05/01
MI7920N
MI7920N
SOIC-8PP
Dual
N
No
20
8
10
13
30
33
27
16
10
2013/12/31
MI7910N
MI7910N
SOIC-8PP
Dual
N
No
100
20
25
28
71
8.4
6.7
2.5
1.6
2013/12/31
MI7900N
MI7900N
SOIC-8PP
Dual
N
No
150
20
170
190
13
3.2
2.6
2.5
1.6
2015/06/12
MI7560C
MI7560C
SOIC-8PP
Complementary
P
No
-60
20
42
52
20
6.3
5
2.5
1.6
2013/12/31
MI7560C
MI7560C
SOIC-8PP
Complementary
N
No
60
20
22
26
16
8.7
7
2.5
1.6
2013/12/31
共928条 共78页 每页12条
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